【摘要】 本发明是关于一种非易失性存储单元的制造方法，特别是指一种在栅电 极的制造上使用自对准金属硅化物的制造方法，利用此一自对准金属硅化物 作为多晶硅栅电极上的连接层，以取代已知的钨金属层，可以减少该步骤中 掩膜制造工艺的使用，达成简化制造过程并降低成本的目的，同时亦可以避 免钨金属层产生氧化而导致电阻偏移。 【专利类型】发明申请 【申请人】宜扬科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810212502.5 【申请日】2008-08-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661906A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/8247; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/70 【发明人】陈宜秀; 李永忠; 吴怡德 【主权项内容】1、一种非易失性存储单元的制造方法，其特征在于，所述方法是在包含 一个以上存储单元、多晶硅栅电极、氧化硅-氮化硅-氧化硅层构造、源极、漏 极的一硅基板其上实施如下列的制造步骤： 以清洗程序移去表面所形成的原始氧化层； 利用溅射或化学蒸发方式将金属层形成于上述多晶硅栅电极、源极、漏 极区域及其它区域之上； 于所述金属层上进一步形成一阻挡层，以保护金属层与硅基材形成金属 硅化物的反应时不与外部空气接触； 将所述金属层及阻挡层进行高温第一次热处理，使所述金属层与硅基材 反应而形成金属硅化物； 利用湿法刻蚀移除未反应的金属层及阻挡层，以形成自对准金属硅化物 层；以及 将自对准金属硅化物层进行第二次热处理，使金属硅化物的内部形成相 转化的金属硅化物结构。 【当前权利人】宜扬科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】2
