【摘要】 本发明提供了一种晶片还原式无电化学镀金方法，是将晶片浸入于有机溶剂槽内溶解有机物，而后将晶片浸入于水洗槽内清洗、再将水分去除后，即可对晶片进行等离子体表面处理、去除残留有机物，继而将晶片浸入于预浸润湿槽内增加表面润湿度后，再浸入于化学镀金槽内进行还原反应，并使金沉积于晶片表面上而形成金属层，最后将晶片浸入水洗槽内清洗、再次进行水分去除，便可产生均匀分布、厚度一定且粗糙度较大的金属层，确保金属层品质与优良率，亦可有效增加打线、焊接或覆晶封装时的附着力，也可制作出具特定部位、区域范围与形状的金属层或电极接点，更能节省材料使用及降低制造上的成本。 （，） 【专利类型】发明申请 【申请人】靖邦科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810179206.X 【申请日】2008-12-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101748395A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101748395B 【授权公告日】2011-08-31 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C23C18/44; C23C18/31 【发明人】陈俊彬 【主权项内容】一种晶片还原式无电化学镀金方法，是以无电解电镀方式在晶片表面进行还原反应从而沉积形成金属层的镀金方法，其特征在于依照下列加工步骤进行处理：(A)将晶片浸入于有机溶剂槽内溶解有机物；(B)将晶片浸入于水洗槽内清洗；(C)将晶片表面水分去除；(D)对晶片表面进行等离子体表面处理去除残留的有机物；(E)将晶片浸入于预浸润湿槽内浸湿；(F)将晶片浸入于化学镀金槽内进行还原反应，并使金属沉积于晶片表面上而形成金属层；(G)将晶片浸入于水洗槽内清洗；(H)将晶片表面水分去除。 【当前权利人】化津科技有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】7
