【摘要】 本发明提供一种半导体元件，其包含有至少一角落为抛物线状的栅极结构且角落的中心点位于该抛物线的顶点，以利用抛物线所具有的聚焦光学性质，来达到讯号不互相干扰，使所驱动的电流顺畅不乱，达到增加晶体管开关的切换速率，并降低半导体元件运作时的温度，增加半导体元件整体的可靠度。 【专利类型】发明授权 【申请人】泓广科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810177032.3 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101414609B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101414609B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/092; H01L29/78; H01L29/423; H01L29/06 【发明人】杨信佳; 郭志盛 【主权项内容】一种CMOS半导体元件，其包含有：至少一晶体管结构，其特征在于：该晶体管结构的栅极结构的角落为抛物线状或所述栅极结构的角落边线上的至少五个点位于同一抛物线曲线上。 【当前权利人】泓广科技有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0
