【摘要】 本发明涉及一种在测量集成电路中的接触及介层寄生电容的测试结构与方法。通过从测量结果中消除非待测量的电容的测量误差，以改良接触及介层电容测量的精准性。首先，电容是在具有待测量的接触或介层电容的目标测试结构所测量的。然后，在实质类似的对照测试结构上测量，而对照测试结构并无待测量的接触或介层。通过测量上述两个测试结构的电容，即可计算出待测量的接触与介层电容。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810126245.3 【申请日】2008-06-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101363882B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101363882B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01R27/26 【发明人】董易谕; 张克正; 米玉杰; 刘莎莉; 洪连嵘; 张智援 【主权项内容】一种在一半导体元件中测量寄生电容的方法，所述方法包含以下步骤：提供一第一测试结构，其具有一第一阵列的晶胞，所述第一阵列的各晶胞包含一第一栅极、第一多个待测量的接触及第一多个相邻的导电材质；对所述第一栅极施加一第一偏压，且对所述第一多个待测量的接触与所述第一多个相邻的导电材质施加一第二偏压；在所述第一偏压与所述第二偏压之间测量所述第一测试结构的一第一电容；提供一第二测试结构，其具有一第二阵列的晶胞，其中所述第二阵列的各晶胞包含一第二栅极及第二多个相邻的导电材质，所述第二阵列的各晶胞没有待测量的接触；其中所述第二栅极实质类似于所述第一栅极，且所述第二相邻的导电材质实质类似于所述第一相邻的导电材质；对所述第二栅极施加所述第一偏压，且对所述第二相邻的导电材质施加所述第二偏压；在所述第一偏压与所述第二偏压之间测量所述第二测试结构的一第二电容；以及利用所述第一电容与所述第二电容，计算所述第一栅极与所述第一多个待测量的接触之间的一寄生电容Cco‑po。。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】7.0 【自引次数】1.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】5
