【摘要】 本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅。该半导体结构还包含有一金属氧化物半导体(MOS)组件，该金属氧化物半导体组件包含有位于衬底上的一栅极电介质层，以及位于此栅极电介质层上的一含金属栅极电极，其中该含金属栅极电极由与第一电容电极相同的材料与厚度所形成。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810098183.X 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101409283B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101409283B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/02; H01L27/06; H01L27/108; H01L27/12 【发明人】张家龙; 鲁定中; 陈家逸; 吴忆鲁 【主权项内容】一种半导体结构，其特征在于，至少包括：一衬底；一电容，位于该衬底上，其中该电容至少包括：一第一材料层，至少包括：一第一电容电极和一第二电容电极，其中该第一电容电极由一含金属材料所形成；一P型金属氧化物半导体组件，至少包括：一第一栅极电介质层，位于该衬底上；以及一第一栅极电极，包含有金属，并位于该第一栅极电介质层上；以及一N型金属氧化物半导体组件，至少包括：一第二栅极电介质层，位于该衬底上；以及一第二栅极电极，包含有金属，并位于该第二栅极电介质层上，其中该第一栅极电极或该第二栅极电极由与该第一电容电极相同的材料所形成，该第一栅极电极或该第二栅极电极并位于与该第一电容电极相同的水平面上。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】28.0 【家族被引证次数】80
