【摘要】 本发明披露了一种写NAND型FLASH的方法，系统在内存中分别开辟空间存储逻辑扇区转换为物理扇区的索引表、FAT表备份、空FAT表写记录和以数据块为单位的FLASH数据，所述方法包括下列步骤：将拟写入FLASH数据块的数据，按扇区写入数据缓冲区的数据块中；当需要将数据缓冲区某个数据块的数据写入FLASH数据块时，判断所述数据缓冲区数据块对应的FAT表备份中的数据是否为空；若判断结果为空，且空FAT表记录指示相应数据未被写过及相应FAT表未被更新过时，直接将数据缓冲区的所述数据块写入到FLASH数据块。本发明采用空间换时间的方式，提高了对NAND型FLASH写操作的速度。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京海尔集成电路设计有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市海淀区花园路四号通恒大厦205室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117827.5 【申请日】2008-08-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101324899B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101324899B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F17/30 【发明人】史岩 【主权项内容】一种写NAND型FLASH的方法，其中系统执行写操作之前，在内存中分别开辟存储将逻辑扇区转换为物理扇区的索引表区、FAT表备份区、空FAT表写记录区和以数据块为单位的数据缓冲区，所述数据块包括多个扇区，用FAT表备份区备份系统FAT表区，用空FAT写记录区记载每个FLASH数据块的数据写入情况；所述方法包括下列步骤：将拟写入FLASH数据块的数据，按扇区写入数据缓冲区的数据块中；当需要将数据缓冲区某个数据块的数据写入FLASH数据块时，判断所述数据缓冲区数据块对应的FAT表备份中的数据是否为空；若判断结果为空，且所述空FAT表记录指示相应数据未被写过，以及相应FAT表未被更新过时，直接将数据缓冲区的所述数据块依据逻辑扇区到物理扇区的索引表写入到FLASH数据块。 【当前权利人】北京海尔集成电路设计有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区花园路四号通恒大厦205室 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91110108723574972X 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】10
