【摘要】 一种高压金氧半导体组件，包括一第一导电型的本体、一导电结构、一第二导电型的第一井区、一第一导电型的源极掺杂区与一第二导电型的第二井区。其中，导电结构具有一第一延伸部与一第二延伸部。第一延伸部由本体的上表面朝向本体的内部延伸。第二延伸部沿着本体的上表面延伸。第一井区位于本体内，位于第二延伸部的下方，并且，第一井区与第一延伸部间隔一预设距离。源极掺杂区位于第一井区内。第二井区位于本体内，由第一延伸部的底部延伸至一漏极掺杂区附近。 【专利类型】发明申请 【申请人】尼克森微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810170533.9 【申请日】2008-10-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728430A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728430B 【授权公告日】2011-06-29 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336; H01L29/66; H01L21/02; H01L29/02 【发明人】涂高维 【主权项内容】一种高压金氧半导体组件，其特征在于，包括：一第一导电型的本体；一导电结构，具有一第一延伸部与一第二延伸部，该第一延伸部由该本体的上表面朝向该本体的内部延伸，该第二延伸部沿着该本体的该上表面延伸；一第二导电型的第一井区，位于该本体内及位于该第二延伸部的下方，该第一井区与该第一延伸部间隔一预设距离；一第一导电型的源极掺杂区，位于该第一井区内；以及一第二导电型的第二井区，位于该本体内，由该第一延伸部的底部延伸至一漏极掺杂区附近。 微信 【当前权利人】尼克森微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
