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半穿反式液晶显示面板的像素结构及其制作方法专利

发布时间:2026-06-18

【摘要】 本发明提供一种半穿反式液晶显示面板的像素结构及其制作方法,其中,该半穿反式液晶显示面板的像素结构,其具有单液晶间隙架构,但通过设置与反射电极适当连接的感应电容与调整电容来调整反射电极的电压,使得穿透区域与反射区域具有一致的伽玛曲线。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810181560.6 【申请日】2008-11-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101408704B 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101408704B 【授权公告日】2010-07-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1362; G02F1/1335; H01L27/12; H01L21/84 【发明人】许时嘉; 林祥麟; 林敬桓 【主权项内容】一种半穿反式液晶显示面板的像素结构,其特征在于,所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构包括:一第一基板,包括一反射区域与一穿透区域;一第一层金属图案,设置于所述第一基板上,所述第一层金属图案包括:一栅极电极,位于所述反射区域内;一第一金属电极,位于所述反射区域内且具有一第一电压;一第二金属电极,位于所述反射区域内且具有一第二电压;一第三金属电极,位于所述反射区域内;一第一介电层,设置于所述第一基板与所述第一层金属图案上;一第二层金属图案,设置于所述第一介电层上,所述第二层金属图案包括:一源极电极与一漏极电极,位于所述反射区域内且分别对应所述栅极电极的两侧;一延伸电极,与所述漏极电极电连接并延伸至部分所述穿透区域;一第四金属电极,位于所述反射区域内,所述第四金属电极电连接至漏极电极,且所述第四金属电极电连接至所述第三金属电极,其中所述第四金属电极与所述第一金属电极部分重迭并形成一存储电容;一第五金属电极,位于所述反射区域内,所述第五金属电极是为浮置,其中所述第五金属电极与所述第三金属电极部分重迭,并形成一感应电容,且所述第五金属电极与所述第二金属电极部分重迭并形成一调整电容;一第二介电层,设置于所述第一介电层与所述第二层金属图案上;一反射电极,设置于所述第二介电层上且位于所述反射区域内,其中所述反射电极与所述第五金属电极电连接;以及一穿透电极,设置于所述第二介电层上且位于所述穿透区域内,其中所 述穿透电极与所述延伸电极电连接。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族被引证次数】2

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