【摘要】 提供一种横向扩散金属氧化物半导体元件，所述横向扩散金属氧化物半导体元件包括衬底、具有第一导电型的深阱、具有第二导电型的阱、具有第一导电型的源极区、具有第一导电型的漏极区、沟道区、具有第二导电型的多个掺杂层以及栅极。深阱与阱位于衬底中。源极区位于阱中。漏极区位于深阱中。沟道区位于源极区与漏极区之间的部分阱中。掺杂层位于沟道区与漏极区之间的深阱中，使形成多个耗尽区域，以提高深阱的耗尽程度，且邻近漏极区的深阱相较于深阱的其他部分具有较高的耗尽程度。栅极位于漏极区以及源极区之间的衬底上并且覆盖沟道区。 【专利类型】发明申请 【申请人】新唐科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185031.3 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764153A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764153B 【授权公告日】2013-03-27 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L29/66; H01L29/02 【发明人】陈柏安 【主权项内容】一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体元件包括：一衬底；具有一第一导电型的一深阱，位于所述衬底中；具有一第二导电型的一阱，位于所述衬底中；具有所述第一导电型的一源极区，位于所述阱中；具有所述第一导电型的一漏极区，位于所述深阱中；一沟道区，位于所述源极区与所述漏极区之间的部分所述阱中；具有所述第二导电型的多个掺杂层，位于所述沟道区与所述漏极区之间的所述深阱中，使形成多个耗尽区域，以提高所述深阱的耗尽程度，且邻近所述漏极区的所述深阱相较于所述深阱的其他部分具有较高的耗尽程度；以及一栅极，位于所述漏极区以及所述源极区之间的所述衬底上并且覆盖所述沟道区。 【当前权利人】新唐科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2
