【摘要】 本发明公开一种像素结构及其薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接扫 描线且位于绝缘层的一表面。半导体层、源极和漏极位于绝缘层另一表面。源 极连接数据线而且连接半导体层。漏极的第一侧支连接半导体层且部分对齐重 叠栅极而诱发寄生电容。漏极的第二侧支与第一侧支延伸于同方向且垂直越过 扫描线上方。部分第二侧支对齐重叠扫描线而诱发第一补偿电容。补偿电极连 接第二侧支且部分垂直位于扫描线上方而诱发第二补偿电容。补偿电极的线宽 为第一侧支和第二侧支线宽的和，使得寄生电容、第一补偿电容和第二补偿电 容的和维持恒定。本发明提供一种像素结构及其薄膜晶体管，可有效解决因两 金属层位移偏差而导致的馈通电压不均匀的问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810161039.6 【申请日】2008-09-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100583459C 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100583459C 【授权公告日】2010-01-20 【授权公告年份】2010.0 【发明人】萧嘉强; 沈光仁; 陈培铭; 郑景升 【主权项内容】1.一种薄膜晶体管，至少包含： 一栅极，电性连接一扫描线； 一绝缘层，邻接于该栅极，且该栅极位于该绝缘层的一表面； 一半导体层，位于该绝缘层的另一表面； 一源极，位于该绝缘层的另一表面，且连接部分该半导体层，该源极电 性连接一数据线；以及 一漏极，位于该绝缘层的另一表面，包含： 一第一侧支，连接部分该半导体层，部分该第一侧支对齐重叠该栅 极而诱发一寄生电容； 一第二侧支，与该第一侧支延伸于同一方向，且垂直越过该扫描线 上方，其中部分该第二侧支对齐重叠该扫描线而诱发一第一补偿电容；以及 一补偿电极，设置于该第二侧支的一端，连接该第二侧支，部分该 补偿电极垂直位于该扫描线上方而诱发一第二补偿电容，该补偿电极的线宽 为该第一侧支的线宽和该第二侧支的线宽的和， 其中该扫描线具有互相相对的一第三边和一第四边，该第二侧支垂直越 过该扫描线的该第三边，该补偿电极垂直越过该扫描线的该第四边。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族被引证次数】23
