【摘要】 一种用于新一代集成电路场效应管中高介电常数(高k)栅介质的材料及其制备方法。该用于高介电常数栅介质的外延薄膜材料，是在Si(001)衬底上单一高取向外延薄膜，该薄膜为具有焦绿石相结构的单晶态铪镧复合氧化物La2Hf2O7，该薄膜与Si(001)衬底的晶体学取向关系为La2Hf2O7(001)//Si(001)。此方法涉及通过反应烧结的方法获得具有焦绿石相的铪镧复合氧化物(La2Hf2O7)陶瓷靶材，然后采用激光分子束沉积技术，在超高真空的条件下在Si(001)衬底沉积获得表面光滑、界面平整的单一高取向外延薄膜。用来应用于新一代集成电路中场效应管的栅介质。。-官网 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810239915.2 【申请日】2008-12-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752410A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L29/51; H01L29/78; H01L21/285; H01L29/40; H01L21/02; H01L29/66 【发明人】杜军; 魏峰; 屠海令; 王毅; 岳守晶 【主权项内容】一种用于高介电常数栅介质的外延薄膜材料，其特征在于，是在Si(001)衬底上单一高取向外延薄膜，该薄膜为具有焦绿石相结构的单晶态铪镧复合氧化物La2Hf2O7，该薄膜与Si(001)衬底的晶体学取向关系为La2Hf2O7(001)//Si(001)。 ： 【当前权利人】北京有色金属研究总院 【当前专利权人地址】北京市新街口外大街2号 【被引证次数】6 【被自引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】6
