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从含铅的高砷物料中脱铅的工艺专利

发布时间:2026-06-15

【摘要】 一种从含铅的高砷物料中脱铅的工艺,包括以下步骤:将含Pb高砷物料与醋酸溶液混合并鼓入含氧气体进行浸出以得到醋酸铅溶液和浸出渣;分离浸出渣和醋酸铅溶液。所述浸出渣进行干燥处理,然后对干燥后的浸出渣进行沸腾焙烧,以从焙烧烟气中回收As2O3且从焙砂中回收有价组分Cu、Ni、Co等有价组分。经过本发明工艺处理后的含砷物料,含铅量小于3%,从而使上述沸腾焙烧作业能够正常运行。。: 【专利类型】发明申请 【申请人】中国恩菲工程技术有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100038北京市海淀区复兴路12号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810246885.8 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101768667A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101768667B 【授权公告日】2011-12-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C22B3/06 【发明人】刘金山; 陆业大; 冯兴亮; 王魁珽 【主权项内容】一种从含铅的高砷物料中脱铅的工艺,其特征在于,包括以下步骤:将含铅的高砷物料与醋酸溶液混合并鼓入含氧气体进行浸出以得到醋酸铅溶液和浸出渣;和分离浸出渣和醋酸铅溶液。 【当前权利人】中国恩菲工程技术有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区复兴路12号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】9111000071093393X4 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4

  • 【摘要】本发明所涉及的是一种铝及低镁铝合金用精炼剂,属于化合物精炼除渣技术领域。本发明为克服传统精炼剂的缺陷,经合理计算,搭配出成分简单,作用温度较低的新型铝及低镁铝合金用精炼剂。经试验检验,其与国内外精炼剂相比具有造渣性能好,除气、除杂能
  • 【摘要】一种比特交织存储器的扩展方法,包括以下步骤:基于一次比特交织的存储器的行列地址进行行列地址的互换映射;将所述互换映射地址与所述存储器的行列地址叠加扩展,以获得第一映射地址;将所述第一映射地址均分地映射到多个存储器上,并映射所述多个存
  • 【摘要】本发明涉及集成光栅微悬臂梁生化传感器,包括玻璃片表面上设置的金属光栅和电极;电极和光栅上覆盖的绝缘层,并在玻璃片上设置有微悬臂梁结构以及微悬臂梁上表面的特异性吸附层,微悬臂梁和光栅之间有一定的间隙,光电检测电路与电极相连接。利用光栅
  • 【摘要】本发明公开了一种字符切分方法及装置,其能够识别出包含粘连字符的字符单元图像块及包含偏旁部首的字符单元图像块,保证字符切分结果的正确性。本发明技术方案中,通过对文本图像进行行切分和列切分,获得若干个字符单元图像块,识别包含粘连字符的字
  • 【摘要】本发明提供了一种多元纳米结构,该纳米结构由分子式AwBxCyOz的化合物形成,式中A为Mn、Fe、Co、Ni、In或Zn,B为Mo,C为Cu,并且wa+xb+yc=2z,a、b和c分别为金属元素A、B和C的价态。本发明还提供了一种制
  • 【摘要】本发明公开了一种Planar DMOS器件及其制作方法,用以减小PlanarDMOS器件的结型场效应晶体管导通电阻,提高平面Planar DMOS器件的性能。本发明技术方案在制作Planar DMOS器件之前,在晶圆外延层的表层注入