【摘要】 一种芯片的封装结构，包括：芯片容置架，具有一其正面配置有粘着层的芯片容置区；一芯片，其主动面配置有多个焊垫及背面形成在芯片容置架的粘着层上；封装体，环覆于具有芯片的芯片容置架且曝露出芯片的主动面上的多个焊垫，且封装体的高度大于芯片的高度；多条图案化的金属线段的一端与多个焊垫电性连接，另一端以外侧延伸并覆盖于封装体的一表面上；多个图案化的保护层，覆盖于多条图案化的金属线段且曝露出多个图案化的金属线段的向芯片的主动面外侧延伸的一扇出结构的部分表面；多个图案化的UBM层，形成在每一个扇出结构的部分表面上，且与多条图案化的金属线段电性连接；及多个导电元件，通过UBM层与多个图案化的金属线段电性连接。 【专利类型】发明授权 【申请人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810093191.5 【申请日】2008-04-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101567322B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101567322B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/56; H01L21/60; H01L23/48; H01L23/31; H01L25/00; H01L25/065 【发明人】沈更新; 陈煜仁 【主权项内容】微信 一种芯片封装结构的封装方法，包含：提供一晶片，具有一上表面及一背面，该晶片上配置有多个芯片，且每一该芯片上具有多个焊垫；形成一第一保护层在该晶片的该上表面，并覆盖住每一该芯片上的这些焊垫；切割该晶片，以得到这些芯片；提供一芯片容置架，具有多个芯片容置区，每一该芯片容置区之间是以多个线架彼此连接且相邻的每一该芯片容置区之间具有一空隙，且每一该芯片容置区的一正面上配置有一粘着层；取放每一该芯片至该芯片容置架的这些芯片容置区上，是将每一芯片的该背面朝下通过该粘着层贴附在该芯片容置架的这些芯片容置区的该正面上；形成一高分子材料层在该芯片容置架上及具有该第一保护层的这些芯片上；覆盖一模具装置，用以平坦化该高分子材料层，使得该高分子材料层充满在具有该第一保护层的这些芯片之间，并包覆住每一该芯片及该芯片容置架；脱离该模具装置，用以曝露出在每一该芯片上的该第一保护层的一表面以形成一封装体；移除该第一保护层以曝露出每一该芯片上的这些焊垫，使得该高分子材料层的高度大于每一该芯片的高度；形成一图案化的第二保护层在曝露的每一该芯片的主动面及部份该高分子材料层上，并蚀刻以移除部份该图案化的第二保护层以形成多个开口并曝露出这些焊垫；形成多个扇出的图案化的金属线段，这些扇出的图案化的金属线段的一端与这些焊垫电性连接及部份这些扇出的图案化的金属线段形成在部份该高分子材料层上；形成一图案化的第三保护层，以覆盖每一该芯片的该主动面及每一该扇出的图案化的金属线段，并曝露出每一该扇出的图案化的金属线段的另一端的一表面；形成多个图案化的UBM层在每一该图案的金属线段的向外侧延伸的扇出结构的该表面上，且与这些图案化的金属线段电性连接；形成多个导电元件，是将这些导电元件通过这些图案化的UBM层与这些图案化的金属线段电性连接；及切割该封装体，以形成多个各自独立的完成封装的芯片。 【当前权利人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号; 百慕大汉米顿 【引证次数】9.0 【自引次数】2.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】9
