【摘要】 本发明是一种增进散热的无外引脚式半导体封装构造及其组合。该增进散热的无外引脚式半导体封装构造包含：导线架，由中空状晶片承座与多个引脚构成，具有热对流镂空区；第一晶片，设置于晶片承座对准覆盖热对流镂空区，具有多个第一电极；多个第一焊线，连接第一电极至引脚；及一封胶体，密封第一晶片与第一焊线结合引脚与晶片承座，底面显露出引脚外表面与热对流镂空区，使第一晶片背面具有不被封胶体密封的中央显露区。本发明还提供应用上述增进散热的无外引脚式半导体封装构造的组合，其还包含印刷电路板及焊料。本发明以热对流方式进行无外引脚式半导体封装构造的散热，不会因微小化影响散热效率，亦不会增加被表面接合的印刷电路板的温度。 【专利类型】发明申请 【申请人】力成科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810171812.7 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740528A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740528B 【授权公告日】2011-12-28 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L23/34; H01L23/367; H01L23/485; H01L23/31; H01L25/00 【发明人】陈晖长; 尤启仲 【主权项内容】一种增进散热的无外引脚式半导体封装构造，其特征在于其包含：一导线架，由一呈中空状的晶片承座与多数个引脚构成，该晶片承座具有一上表面、一下表面与一贯穿的热对流镂空区，每一引脚具有一内表面与一外表面；一第一晶片，设置于该晶片承座的该上表面并对准覆盖至该热对流镂空区，该第一晶片具有多数个第一电极；多数个第一焊线，是连接该第一晶片的该些第一电极至该些引脚的该些内表面；以及一封胶体，是密封该第一晶片与该些第一焊线并结合该些引脚与该晶片承座，该封胶体的一底面是显露出该些引脚的该些外表面与该晶片承座的该热对流镂空区，使该第一晶片的一背面具有一不被该封胶体密封的中央显露区。 【当前权利人】力成科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】10 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】10
