【摘要】 本发明是一种高频表面声波元件，尤指一种可通过调整其所具的纳米 钻石膜层的厚度而轻易地调整其中心频率的高频表面声波元件。本发明的 高频表面声波元件包括：一硅基板；一纳米钻石膜层，是位于此硅基板之 上；一压电层，形成于此纳米钻石膜层的表面；一输入转换部；以及一输 出转换部；其中，此输入转换部与此输出转换部成对地设置于此压电层的 表面或其下方。此外，前述的纳米钻石膜层的厚度较佳介于0.5μm至20 μm之间，前述的压电层的材质较佳包括氧化锌、氮化铝或铌酸锂，压电 层的厚度则较佳介于0.5μm至5μm之间。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】大同股份有限公司; 大同大学 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】台湾省台北市中山区中山北路3段22号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810160835.8 【申请日】2008-09-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677234A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H03H9/02 【发明人】施文钦; 王茂进 【主权项内容】1、一种高频表面声波元件，其特征在于包括： 一硅基板； 一纳米钻石膜层，位于该硅基板之上； 一压电层，形成于该纳米钻石膜层的表面； 一输入转换部；以及 一输出转换部； 其中，该输入转换部与该输出转换部是成对地设置于该压电层的 表面。 【当前权利人】大同股份有限公司; 大同大学 【当前专利权人地址】台湾省台北市中山区中山北路3段22号; 中国台湾台北市中山区中山北路三段40号 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
