【摘要】 本发明披露一种存储单元及其制造方法，并具体披露一种具有填充侧壁存储元件的相变化存储单元及其制造方法。此处所披露的存储单元其包含一底电极、一顶电极，于该底电极之上、一介层孔，具有一侧壁，其自该底电极延伸至该顶电极、以及一存储元件，其与该底电极及该顶电极电连接。此存储元件具有一外表面与一介电侧壁子连接，此介电侧壁子位于此介层孔的侧壁处，此存储元件包含一树干部分于该底电极之上及一杯状部分于该树干部分之上。一填充材料位于由该存储元件的该杯状部分的内表而所定义的内里之中。。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810009750.X 【申请日】2008-02-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101257087B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101257087B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; H01L21/82; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】龙翔澜; 陈介方 【主权项内容】一种存储单元，其包含：一底电极；一顶电极；一介层孔，具有一侧壁，其自所述底电极延伸至所述顶电极；一介电侧壁子，位于介层孔的所述侧壁的内表面上；一存储元件，其与所述底电极及所述顶电极电连接，具有一外表面，所述外表面与所述介电侧壁子连接，所述存储元件包含一树干部分于所述底电极之上及一杯状部分于所述树干部分之上，所述杯状部分具有一内表面，其中所述存储元件包含一存储器材料，其具有至少两个固态相；以及一填充材料，位于由所述存储元件的所述杯状部分的所述内表面所定义的内部。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】10.0 【他引次数】10.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】12
