【摘要】 本发明公开了一种具有共平面电极表面的存储单元装置及其制造方法。该装置包含多个第一电极，而每一第一电极具有与该位线的该顶表面共平面的顶表面，该第一电极延伸穿过在该位线内对应的过孔。绝缘构件在每一过孔之内，以及其为具有厚度的环形，而该绝缘构件介于该对应的第一电极与作为第二电极的该位线的部位之间。一层存储材料延伸穿过该绝缘构件以接触该位线及该第一电极的该顶表面。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810009438.0 【申请日】2008-02-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101236985B 【公开公告日】2010-08-04 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101236985B 【授权公告日】2010-08-04 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/24; H01L23/522; H01L45/00; H01L21/82; H01L21/768; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】龙翔澜 【主权项内容】一种存储装置，包含： 具有顶表面及多个过孔的位线； 具有个别的顶表面的多个第一电极，而该个别的顶表面与该位线的该顶表面共平面，而该第一电极延伸穿过在该位线中对应的过孔； 多个绝缘构件，而该些绝缘构件位于对应的过孔内并为具有厚度的环形，而该绝缘构件介于该对应的第一电极与作为第二电极的该位线的部位之间；以及 存储材料层延伸穿过该绝缘构件以接触该位线及该第一电极的该些顶表面。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】15.0 【他引次数】15.0 【家族引证次数】20.0 【家族被引证次数】6
