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增加线路密度的增层电路板制造方法及其结构专利

发布时间:2026-06-18

【摘要】 一种增加线路密度的增层电路板制造方法,该方法包括:提供一核心载板;形成多个第一电性连接垫,第一电性连接垫设置于核心载板的顶面上;形成一第一介电层,第一介电层覆盖核心载板与第一电性连接垫上;进行激光钻孔贯穿第一介电层,进而形成一图案化的第一电镀层于第一介电层上;形成一第二介电层,第二介电层覆盖第一介电层与图案化的第一电镀层上;进行激光钻孔贯穿第二介电层与第一介电层,进而形成一图案化的第二电镀层于第二介电层上;形成一第三介电层,第三介电层覆盖第二介电层与图案化的第二电镀层;以及移除核心载板。本发明另提供一种增加线路密度的增层电路板结构。本发明可实现放大防焊垫的尺寸、高细线路密度及多脚化。 【专利类型】发明申请 【申请人】欣兴电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169117.7 【申请日】2008-10-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101730396A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H05K3/46 【发明人】范智朋 【主权项内容】一种增加线路密度的增层电路板制造方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一核心载板;形成多个第一电性连接垫,所述多个第一电性连接垫设置于该核心载板的顶面上;形成一第一介电层,该第一介电层覆盖该核心载板与所述多个第一电性连接垫上;进行激光钻孔贯穿该第一介电层,进而形成一图案化的第一电镀层于该第一介电层上;形成一第二介电层,该第二介电层覆盖该第一介电层与该图案化的第一电镀层上;进行激光钻孔贯穿该第二介电层与该第一介电层,进而形成一图案化的第二电镀层于该第二介电层上;形成一第三介电层,该第三介电层覆盖该第二介电层与该图案化的第二电镀层;以及移除该核心载板。。 【当前权利人】欣兴电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【引证次数】1.0 【被引证次数】10 【他引次数】1.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】10

  • 【摘要】一种提供语言学习情境的分享伺服器及其方法,其通过第一客户端传送 包含语言学习数据的第一情境数据至伺服器储存,当伺服器在接收到第二客 户端所传送的查询数据后,会由第一情境数据中查找包含有查询数据的第二 情境数据并传回第二客户端显示,可
  • 【专利类型】外观设计【申请人】华硕电脑股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】中国台湾台北市北投区立德路150号【申请人地区】中国【申请人城市】台湾省【申请号】CN200830269633.8【申请日】2008-12-04【申请年份】2
  • 【摘要】本发明公开一种电子装置及其闩锁结构,该闩锁结构包括一基底、一第一元件、一第二元件与一闩锁元件。第一元件设置于基底且可相对于一第一轴而在一第一参考位置与一第二参考位置之间移动,第一元件包括了具有一驱动面的一第一导引部,其中,第一导引部
  • 【摘要】本发明提供一种半导体工艺及应用此工艺所形成的硅基板及芯片封装结构。首先,提供硅基材。接着,局部暴露硅基材的一表面,并蚀刻硅基材的此表面,以使硅基材形成有至少一具有第一深度的第一凹口及第二深度的第二凹口的阶梯状结构。第一深度小于第二深
  • 【摘要】本发明公开了一种两段式膨胀冷却系统及其蒸发器,该发器用以接收一高压液态工质。此蒸发器包括一具有一流道系统的一导热块。流道系统包括一高压流道、一低压流道以及一膨胀流道。膨胀流道具有输入端及输出端。输入端与高压流道连通。输出端与低压流道
  • 【摘要】本发明揭示一种适应性去交错扫描器,可将经交错扫描的视频信号转换成循序视频信号,并包含移动检测器、场内内插器、场间内插器、移动混淆假影检测器与混合单元。该移动检测器基于该经交错扫描的视频信号的连续场,并针对在该经交错扫描的视频信号的目