【摘要】 本发明提供一种半导体工艺及应用此工艺所形成的硅基板及芯片封装结构。首先，提供硅基材。接着，局部暴露硅基材的一表面，并蚀刻硅基材的此表面，以使硅基材形成有至少一具有第一深度的第一凹口及第二深度的第二凹口的阶梯状结构。第一深度小于第二深度，且第一凹口的孔径大于第二凹口的孔径。依序形成最终绝缘层、金属种子层于阶梯状结构。形成图案化光致抗蚀剂层于金属种子层上。形成线路层覆盖显露于第一凹口上方的部分金属种子层。之后，移除图案化光致抗蚀剂层及位于其底下的部分金属种子层。 【专利类型】发明申请 【申请人】欣兴电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810183311.0 【申请日】2008-12-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752261A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752261B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/48; H01L21/50; H01L23/488; H01L23/31 【发明人】吕致纬 【主权项内容】一种半导体工艺，包括：提供硅基材；局部暴露该硅基材的一表面，并蚀刻该硅基材的该表面，以使该硅基材形成有至少一阶梯状结构，该阶梯状结构具有第一深度的第一凹口以及第二深度的第二凹口，该第一深度小于该第二深度，且该第一凹口的孔径大于该第二凹口的孔径；形成最终绝缘层于该阶梯状结构以及形成金属种子层于该最终绝缘层上；形成图案化光致抗蚀剂层于该金属种子层上，其中该图案化光致抗蚀剂层覆盖预定形成线路层之外的部分该金属种子层，并显露预定形成该线路层的部分该金属种子层；形成该线路层，覆盖显露的部分该金属种子层上；以及移除该图案化光致抗蚀剂层以及位于该图案化光致抗蚀剂层底下的部分该金属种子层。 【当前权利人】欣兴电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【家族引证次数】5.0
