【摘要】 本发明关于磁性移位寄存存储器以及数据存取方法。其中磁性移位寄存存储器，包括至少一条磁性存储轨，有多个磁壁分隔出多个磁域构成多个磁性存储单元。一定数量的磁性存储单元构成一存储单元，储存一丛数据(burst data)。一读取/写入元件设置在所述存储单元之间，以读取或写入经过读取/写入元件的所述磁性存储单元的该丛数据。一标记单元记录每一个磁性存储轨或是每一个存储单元的一标记值，以标示丛数据是位于该读取/写入元件的一第一边或是一第二边。一电流单元，根据标记值提供一操作电流给所述条磁性存储轨，使所述磁壁移位经过读取/写入元件。于读取/写入元件读取或写入丛数据后更新标记值。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810182395.6 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752003A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752003B 【授权公告日】2012-11-07 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C19/02; G11C19/00 【发明人】洪建中; 沈桂弘 【主权项内容】一种磁性移位寄存存储器，包括：至少一条磁性存储轨，有多个磁壁分隔出多个磁域构成多个磁性存储单元，一定数量的所述磁性存储单元构成一存储单元，存储一丛数据；一读取/写入元件，设置在所述存储单元之间，以读取或写入经过该读取/写入元件的所述磁性存储单元的该丛数据；一标记单元，记录每一个该磁性存储轨或是每一个该存储单元的一标记值，以标示该丛数据是位于该读取/写入元件的一第一边或是一第二边；以及一电流单元，根据该标记值提供一操作电流给该条磁性存储轨，使所述磁壁移位经过该读取/写入元件，其中该读取/写入元件读取或写入该丛数据后更新该标记值。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】4 【他引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4
