【摘要】 鉴于常规PID控制器难以对单晶硅的生长过程进行有效的控制，特提供一种适用于各种直拉式单晶硅生长设备的智能PID控制方法及其控制系统。该方法中，首先对单晶硅晶体的生长过程进行监控，采集单晶硅的直径与预定直径的偏差；根据单晶硅直径与预定直径的偏差，基于模糊控制理论进行分类，根据分类后的直径偏差计算对拉速进行控制所需的积分分量和微分控制分量，对拉速进行控制；根据拉速与预定拉速的偏差，基于模糊控制理论进行分类，根据分类后的拉速偏差计算对温度进行控制所需的积分分量和微分控制分量，对温度进行控制。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京太克易航科贸有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100100 北京市通州区聚富苑民族产业发展基地聚和六街1-1-106 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】通州区 【申请号】CN200810239837.6 【申请日】2008-12-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101748477A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101748477B 【授权公告日】2013-10-23 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】C30B15/20; C30B29/06 【发明人】焦建耀 【主权项内容】一种用于单晶硅生长过程控制的智能PID控制系统，其特征在于：所述智能PID控制系统包括工业控制计算机、至少两个伺服控制器、晶升电机/埚升电机、晶转电机/埚转电机、直径传感器、信号调理单元、温度控制器；其中，所述工业控制计算机分别连接所述第一伺服控制器和所述第二伺服控制器；所述第一伺服控制器连接所述晶升电机/埚升电机，同时，所述晶升电机/埚升电机直接与所述工业控制计算机相连接；所述第二伺服控制器连接所述晶转电机/埚转电机，同时，所述晶转电机/埚转电机直接与所述工业控制计算机相连接；所述直径传感器通过所述信号调理单元与所述工业控制计算机相连接，所述温度控制器也与所述工业控制计算机相连接。 【当前权利人】北京太克易航科贸有限公司 【当前专利权人地址】北京市通州区聚富苑民族产业发展基地聚和六街1-1-106 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91110112666253530N 【引证次数】9.0 【被引证次数】19 【他引次数】9.0 【被他引次数】19.0 【家族引证次数】14.0 【家族被引证次数】19
