【摘要】 本发明公开了一种可整合半导体制程的微结构制造方法，在一硅基 层上表面形成一绝缘层，绝缘层设有彼此独立的至少一微结构与多个金属 电路，微结构与金属电路受绝缘层包覆进行蚀刻，绝缘层成型一与金属电 路及外部导体电性连结的金属连接层，金属连接层外露于该绝缘层表面上 受一保护层覆盖进行蚀刻，避免微结构与金属连接层遭受蚀刻液侵蚀破 坏。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】微智半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810145283.3 【申请日】2008-08-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101638213A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101638213B 【授权公告日】2012-12-19 【授权公告年份】2012.0 【发明人】陈晓翔; 叶力垦; 刘政谚 【主权项内容】1、一种可整合半导体制程的微结构制造方法；其特征在于，包括下 述步骤： 在一硅基层上成型一绝缘层，所述绝缘层具有至少一微结构及多个金 属电路，让所述微结构及金属电路受所述绝缘层包覆，所述绝缘层上成型 一与所述金属电路电性链接的金属连接层，所述绝缘层表面沉积一保护 层，使外露于所述绝缘层表面的所述金属连接层受所述保护层覆盖进行蚀 刻。。 【当前权利人】微智半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
