【摘要】 本发明公开一种像素结构，包括一基板、一扫描线、一栅极、一栅绝缘层、一图案化半导体层、一源极、一漏极、一数据线、一保护层、一像素电极与一第一连接导线。其中，扫描线与栅极皆配置于基板上。此外，栅绝缘层覆盖基板、扫描线与栅极。另外，图案化半导体层配置于栅极上方的栅绝缘层上。源极与漏极分别配置于图案化半导体层上。特别地，保护层具有多个暴露出数据线的第二接触窗开口。像素电极配置于保护层上，并透过第一接触窗开口而与漏极电性连接。第一连接导线配置于数据线上方的保护层上，并透过第二接触窗开口而与数据线电性连接。 【专利类型】发明授权 【申请人】中华映管股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市中山北路三段二十二号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810086409.4 【申请日】2008-03-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101533805B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101533805B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L21/768; H01L27/12; H01L23/522; G02F1/1362 【发明人】洪建兴; 吴英明; 黄坤源; 陈晋昇; 黄乙峰 【主权项内容】一种像素结构的制造方法，包括：提供一基板；于该基板上形成一扫描线与一栅极，且该扫描线与该栅极电性连接；于该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖该基板、该扫描线与该栅极；于该栅极上方的栅绝缘层上形成一图案化半导体层；于该栅绝缘层上方形成一数据线，并于部分的该图案化半导体层上分别形成一源极与一漏极，其中该数据线与该源极电性连接；形成一保护层，以覆盖部分该栅绝缘层、该源极、该漏极、该数据线与部分该图案化半导体层，其中该保护层具有一暴露出该漏极的第一接触窗开口与多个暴露出该数据线的第二接触窗开口；以及于该保护层上形成一像素电极与一第一连接导线，其中该像素电极透过该第一接触窗开口而与该漏极电性连接，而该第一连接导线位于该数据线上方的保护层上并透过该些第二接触窗开口而与该数据线电性连接。 【当前权利人】中华映管股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市中山北路三段二十二号 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6
