【摘要】 本发明公开了一种半导体结构，其包含有一基板、一硅层、一感光二极 管层以及一金属层。该基板为一可透光材料，该硅层制作于该基版的一第一 表面上，该感光二极管层制作于该硅层上，以及该金属层制作于该感光二极 管层之上。该感光二极管层用来侦测入射至该基板的一第二表面并穿透该基 板的一入射光，且该第二表面与该第一表面分别位于该基板的两侧。在本发 明中，感光二极管层制作于基板的一表面，并且侦测入射至基板另一表面且 穿透该基板的入射光，因此，金属层的设计会较为简单，且感光二极管层也 会有优选的感光效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】奇景光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台南县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810215076.0 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621086A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621086B 【授权公告日】2011-06-15 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L31/08; H01L31/103 【发明人】林士玄 【主权项内容】 1.一种半导体结构，包含有： 一基板，其材料为一可透光材料； 一硅层，制作于该基板的一第一表面上； 一感光二极管层，制作于该硅层上；以及 一金属层，制作于该感光二极管层上； 其中该感光二极管层用来侦测入射至该基板的一第二表面且穿透该基 板的入射光，且该第二表面与该第一表面分别位于该基板的两侧。 【当前权利人】奇景光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台南市新市区紫楝路26号 【家族引证次数】6.0
