【摘要】 本发明公开了一种具有高速擦除能力的能隙处理的电荷捕捉存储单元，包含一电荷捕捉元件，其是通过阻挡层与栅极分隔，该阻挡层为掺杂金属而中等介电常数的二氧化硅，例如掺杂铝的氧化硅；同时该电荷捕捉元件也通过能隙工程的隧穿介电层与半导体衬底分隔。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810145168.6 【申请日】2008-08-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101364602B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101364602B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/115; H01L29/792; H01L29/51; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/8247 【发明人】赖升志; 吕函庭; 廖健玮 【主权项内容】一种电荷捕捉存储器，包含多个存储单元所组成的一阵列，其特征在于，该阵列中的各存储单元分别包含：一介电层堆栈包含：一隧穿介电层；一电荷捕捉介电层位于该隧穿介电层之上；一阻挡介电层位于该电荷捕捉介电层之上，该阻挡介电层包含一掺杂金属的介电材料，其介电常数介于4.5至7之间。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】15
