【摘要】 本发明提供一种具有肖特基二极管的高压半导体元件，其包括一LDMOS元件包括：一半导体基底；一P-型体掺杂区于该基底的一第一区域中；一N-型漂移区于该基底的一第二区域中，且与P-型体掺杂区间存在一结；一绝缘区于基底上，定义出一主动区域；一阳极电极位于P-型体掺杂区露出的该区域上；一N-型浓掺杂区位于N-型漂移区中，且与绝缘区的一第二端接触；及一阴极电极位于N-型浓掺杂区上。一肖特基二极管元件包括：N-型漂移区于半导体基底的第一区域和一第二区域中；阳极电极位于N-型漂移区于半导体基底的第一区域上；N-型浓掺杂区位于N-型漂移区于半导体基底的第二区域中；及阴极电极位于N-型浓掺杂区上。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185030.9 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764131A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764131B 【授权公告日】2011-04-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/06; H01L27/12 【发明人】杜尚晖; 蔡宏圣 【主权项内容】一种整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件包括：一第一元件，其包括：一半导体基底；一第一型体掺杂区于所述半导体基底的一第一区域中；一第二型漂移区于所述半导体基底的一第二区域中，且与所述第一型体掺杂区间存在一结；一绝缘区于所述半导体基底上，定义出一主动区域；一介电层于所述半导体基底表面，其第一端跨越所述绝缘区上的部分表面，且其第二端露出所述第一型体掺杂区的一区域；一第一电极位于所述第一型体掺杂区露出的部分区域上；一第二型浓掺杂区位于所述第二型漂移区中，且与所述绝缘区的一第二端接触；一第二电极位于所述第二型浓掺杂区上；及一第三电极位于所述介电层上；以及一第二元件，包括：一第二型漂移区于所述半导体基底的所述第一区域和所述一第二区域中；一第一电极位于所述第二型漂移区于所述半导体基底的所述第一区域上；一第二型浓掺杂区位于所述第二型漂移区于所述半导体基底的所述第二区域中；及一第二电极位于所述第二型浓掺杂区上。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
