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薄膜晶体管阵列基板及其应用与制造方法专利

发布时间:2026-06-17

【摘要】 本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及其应用与制造方法,该制造方法至少包括:提供基板;在基板上形成多个薄膜晶体管;在基板上形成多个第一像素电极;在这些第一像素电极上形成电极绝缘层;在电极绝缘层上形成多个第二像素电极。该薄膜晶体管阵列基板可应用于液晶显示面板及装置中。 【专利类型】发明申请 【申请人】奇美电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台南县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810177990.0 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740581A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740581B 【授权公告日】2013-08-14 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L21/84; G02F1/1362 【发明人】谢志勇; 陈建宏; 陈建诚 【主权项内容】一种薄膜晶体管阵列基板,至少包括:基板;多个第一像素电极,设置于所述基板上;电极绝缘层,设置于所述第一像素电极上;以及多个第二像素电极,设置于所述电极绝缘层上,其中每一所述第二像素电极具有至少一个第一狭缝及至少一个第二狭缝,所述第一狭缝与每一所述第一像素电极不重叠,所述第二狭缝与每一所述第一像素电极重叠。 【当前权利人】群创光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县 【引证次数】5.0 【被引证次数】26 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【被他引次数】26.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】26

  • 【摘要】本发明公开了一种硅片加工工艺,它包括以下的步骤:(1)将倒 角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削;(2)用HF溶液和选自H2O2、 O3中的一种组成混合溶液去除硅表面的微观凸起部分;(3)将硅片 进行常规酸腐蚀;(4)将酸腐蚀片进行常
  • 【摘要】本发明涉及移动通信领域,尤其涉及对多路径传输协议中的选择性应答 SACK分组进行传输的技术。一种选择性应答分组传输方法,包括:确定多 路径中的一个单路径为选择性应答SACK分组传输路径;将SACK分组通过 所述SACK分组传输路径进
  • 【摘要】本发明的实施例提供了一种基于大规模并行处理的在线调度辅助决策方 法和系统,可解决现有技术不能充分利用电力系统的运行信息而影响了调度辅 助决策的准确度的问题。所述方法包括:根据所述评估结果确定失稳作业;根 据对失稳作业的各动态元件的轨
  • 【摘要】本发明公开了一种输入方法和输入装置,其中,输入方法包括:接收物体 以滑动的方式触摸键盘面的信息;基于所述接收到的信息,依次确定键盘面中 被有效触摸的各键位;顺序输入所述确定出的各键位对应的键值编码。输入装 置包括:接收单元,用于接收
  • 【摘要】本发明是由天然植物提取的祛皱、祛斑、除痘、增白、护肤养颜液,它 能迅速有效的解除人们因皮肤长皱、长斑、长痘、暗黄而带来的烦恼,在人 们能够安全使用的同时,使皮肤有效的得到改善和养护。该发明产品全部采 用无毒副作用的纯天然中草药科学配
  • 【专利类型】外观设计【申请人】方玉柱【申请人类型】个人【申请人地址】101102 北京市通州区景盛南四街11号【申请人地区】中国【申请人城市】北京市【申请人区县】通州区【申请号】CN200830250479.X【申请日】2008-11-10