【摘要】 本发明是一种提高波导与光纤耦合效率的方法。该方法包括，在制作好的波导表面淀积二氧化硅，将波导完全包裹住，然后刻蚀二氧化硅至衬底硅，形成二氧化硅波导包裹硅波导的耦合端结构，然后将衬底硅向内刻蚀10微米至50微米，形成10微米至50微米的二氧化硅波导包裹硅波导的悬空耦合端结构。本发明有效地提高了耦合结构对光场的限制能力，降低了倒锥形耦合结构端头的弥散损耗，消除了光场扩散后向衬底的泄漏损耗，提高与光纤的耦合效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810112203.4 【申请日】2008-05-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101587207B 【公开公告日】2010-12-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101587207B 【授权公告日】2010-12-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B6/136; G02B6/12 【发明人】耿敏明; 张磊; 贾连希; 杨林; 刘育梁 【主权项内容】一种提高波导与光纤耦合效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：在纳米线波导顶层淀积二氧化硅；对二氧化硅进行光刻和干法刻蚀，刻蚀二氧化硅至衬底；在输入/输出端向内刻蚀衬底；在输入/输出端的耦合结构处形成以空气为外包层、矩形二氧化硅波导和被该矩形二氧化硅波导包裹的纳米线倒锥形耦合波导为芯层的波导结构。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
