【摘要】 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810112207.2 【申请日】2008-05-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101588017B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101588017B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01S5/183 【发明人】郑婉华; 刘安金; 王科; 渠宏伟; 邢名欣; 陈微; 周文君 【主权项内容】一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源区、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成，其中，缺陷腔结构和环形出光区均为出光区，且它们通过光子晶体区实现同相位耦合输出。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】9
