【摘要】 该数据由<>整理 本发明涉及具有可移动热挡板半导体片红外快速热处理腔，属于极大规模集成电路和半导体制造的工艺设备技术领域，该热处理腔包括：由扁平矩形双层石英腔，固定在石英内、外腔之间的红外加热腔和红外反射板，该石英内腔的前端伸入石英外腔中，该石英内、外腔的前端面设置有密封腔盖及其密封阀门，还包括固定有石英片托的机械手及驱动机构；在双层石英腔外还设置有可移动热挡板，该热挡板能沿该双层石英腔轴线方向从双层石英腔后端伸入到石英内腔外壁与扁平矩形红外加热腔内壁之间的缝隙内。本发明可使半导体片迅速升降温，实现真正的尖峰退火。该热处理腔加热半导体片温度均匀、范围宽，加热半导体片升温速率和降温速率快，半导体片尺寸任意大小，生产效率高。 【专利类型】发明授权 【申请人】中电华清微电子工程中心有限公司; 清华大学 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084 北京市海淀区清华大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227378.X 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101409228B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101409228B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00 【发明人】钱佩信; 林惠旺; 刘志弘; 刘朋; 刘荣华 【主权项内容】一种具有可移动热挡板半导体片红外快速热处理腔，其特征在于，该热处理腔包括：由石英内腔及套在该内腔外的石英外腔构成的扁平矩形双层石英腔，固定在所述石英内、外腔之间的扁平矩形红外加热腔和红外反射板，在该石英内、外腔的端面各设有通气口；石英内腔的前端伸入石英外腔中，该石英内、外腔的前端面设置有密封腔盖，在该腔盖内腔中间设置有能进出半导体片的密封阀门，还包括装卸半导体片的机械手及机械手驱动机构；在所述的机械手上固定有石英片托；在所述双层石英腔外还设置有可移动热挡装置，该可移动热挡装置的热挡板能沿该双层石英腔轴线方向从双层石英腔后端伸入到石英内腔外壁与扁平矩形红外加热腔内壁之间的缝隙内。 【当前权利人】中国电子信息产业集团有限公司; 清华大学; 清华控股有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村东路66号院甲1号(世纪科贸大厦A座); 北京市海淀区清华园; 【专利权人类型】有限责任公司; 公立 【统一社会信用代码】; 12100000400000624D 【家族被引证次数】5
