【摘要】 本发明公开了一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法，首先在GaN的异质外延衬底上 生长一层掩膜，然后在掩膜上开出一系列生长窗口，再依次生长GaN成核层、GaN模板 层和GaN厚膜，最后激光剥离异质外延衬底。该方法是一种两步应力释放法：第一步采用 侧向外延技术，使样品只有部分区域与异质外延衬底相连接，可以天然的释放部分应力； 第二步采用激光剥离技术使样品从异质外延衬底上剥落，再释放部分应力。采用本发明方 法得到的自支撑单晶氮化镓衬底具有应力释放均匀、成品率高、适于大规模工业生产的特 点。。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222720.7 【申请日】2008-09-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685768A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/20; H01L33/00; H01S5/00; H01L21/02 【发明人】张国义; 杨志坚; 方浩; 李丁; 桑立雯; 陶岳彬; 康香宁; 孙永健; 陆羽; 赵璐冰 【主权项内容】1.一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法，包括以下步骤： 1)在GaN的异质外延衬底上生长一层掩膜； 2)在掩膜上开出一系列生长窗口； 3)用两步生长法依次生长GaN成核层、GaN模板层； 4)在GaN模板层上生长GaN厚膜； 5)激光剥离异质外延衬底。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】20 【被自引次数】3.0 【被他引次数】17.0 【家族被引证次数】20
