【摘要】 本发明提供一种以石墨烯为电极的场效应晶体管器件及其制备方法。该器件中，构成源区和漏区的材料均为石墨烯；构成沟道区的材料为各种有机小分子、高聚物及高分子半导体材料，如聚噻吩、并五苯、稠环芳烃、苝酰胺等，构成栅区的材料为高度掺杂的导电硅。该器件还包括栅介质层，构成栅介质层的材料为二氧化硅，氮化硅以及各种高K的绝缘体。本发明提供的纳米级场效应晶体管器件可为n-型、p-型或两性型，该器件在纳米级实现了宏观场效应晶体管器件的所有功能。本发明提供的晶体管器件在超灵敏环境刺激响应、超灵敏太阳能刺激响应器件等均具有很高的应用价值。另外，在分子电子学及纳米领域，该器件对促进分子级别各种尺度下超微光电器件的发展，将起到至关重要的作用。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226315.2 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101404322B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101404322B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/05; H01L51/30; H01L51/40 【发明人】郭雪峰; 曹阳 【主权项内容】一种场效应晶体管器件，包括源区、漏区、栅区和沟道区；其中，所述栅区和沟道区均位于所述源区和漏区之间，所述栅区位于所述沟道区之下，构成所述栅区的材料为高度掺杂的导电硅；其特征在于：构成所述源区和漏区的材料为石墨烯，构成所述沟道区的材料为稠环芳烃或苝酰胺。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】22
