【摘要】 本发明公开了一种半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备，首先在腔室部件的表面涂一层Al、Al-Ni合金、Ti或P-Ni合金等金属打底层；然后在金属打底层之上涂一层Y2O3等陶瓷保护层。涂层结合强度高，可以减少腔室部件在使用、维护过程中破损的风险，能对腔室部件表面进行有效保护并减少颗粒产生，用于干法刻蚀机、离子注入机、CVD等设备，能降低设备的消耗成本并保证半导体加工工艺的正常进行。 （，） 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240103.X 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752214A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01J37/317; C23C16/44; C23F4/00 【发明人】陶林; 张宝辉; 钱进文 【主权项内容】一种半导体加工腔室部件，其特征在于，所述腔室部件的表面涂有金属打底层，所述金属打底层之上涂有陶瓷保护层。 【当前权利人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】10 【被自引次数】1.0 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】10
