【摘要】 本发明公开了一种半导体加工铜互连的方法，首先在基板上形成通孔和沟槽，并对通孔和沟槽进行去气处理；然后，沉积铜阻挡层和铜籽晶层；在沉积铜阻挡层之后，且在沉积铜籽晶层之前和/或之后进行离子溅射步骤。通过离子溅射步骤，可以实现预清洗，工艺简单、成本低；可以改善阻挡层/籽晶层薄膜沉积孔隙填充性能、降低对阻挡层/籽晶层薄膜沉积要求，使产品的成品率提高。可以应用于45nm以下技术节点的铜双大马士革互连工艺，实现向32nm以下技术节点扩展，并避免向更小技术节点扩展时芯片制造设备升级的成本支出。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226477.6 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740480A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/70 【发明人】杨柏 【主权项内容】一种半导体加工铜互连的方法，包括在基板上形成通孔和沟槽，其特征在于，包括：在所述形成通孔和沟槽的基板上沉积铜阻挡层和铜籽晶层；所述沉积铜阻挡层之后还进行离子溅射步骤，所述离子为惰性气体离子。 【当前权利人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
