【摘要】 本发明公开了一种用于导体或导体层的精确加工方法，即在导体或导体层上形成宽度大于30纳米的间距或厚度大于30纳米的绝缘层，使导体或导体层断开。本发明还公开了一种精确控制加工尺寸达到导体或导体层导通的方法，即检测导体或导体层断开处的间距，若间距大于10nm则在所述导体或导体层断开处涂敷导电材料并对所述导电材料加热使其固化导通，使所述断开处的间距小于10nm。本发明还提供一种判断导体或导体层通断的方法。利用本发明方法提供的数据加工导体，既能够达到通断要求，又能够提高效率、节约成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】四川虹欧显示器件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100085 北京市海淀区上地信息路11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810247528.3 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728235A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/66 【发明人】曹建 【主权项内容】一种用于导体或导体层的精确加工方法，其特征在于，在导体或导体层上形成宽度为30到500纳米的间距或厚度为30到500纳米的绝缘层，使所述导体或导体层断开。 【当前权利人】四川虹欧显示器件有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区上地信息路11号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91510700662756819Q 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
