【摘要】 本发明公开了一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，该方法包括：在长方体管壳的底部焊接一散热基座；在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤，从长方体管壳的侧壁或后壁引出管芯驱动电流的正负极两只管脚；将该长方体管壳置于封焊机的全氮气氛围中，对该长方体管壳进行半导体超辐射发光二极管管芯的无制冷封装。本发明提供的这种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，实现简单，结构尺寸小，其体积和成本得到大幅度降低，具备小型化的特点，实现了超辐射二极管模块的小型化和低成本化。 （，） 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224108.3 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728468A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728468B 【授权公告日】2011-12-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】谭满清; 孙孟相 【主权项内容】一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，其特征在于，该方法包括：在长方体管壳的底部焊接一散热基座；在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤，从长方体管壳的侧壁或后壁引出管芯驱动电流的正负极两只管脚；将该长方体管壳置于封焊机的全氮气氛围中，对该长方体管壳进行半导体超辐射发光二极管管芯的无制冷封装。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】9
