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数据存储装置及数据存储装置间通信的方法专利

发布时间:2026-06-14

【摘要】 本发明提供了数据存储装置及数据存储装置间通信的方法,该装置包括: 第一电源供电模块;第一存储介质;第一处理器模块,包括:第一存储介质接 口及第一存储处理模块;第一接口模块,用于与一第二数据存储装置的第二接 口模块相连接,该第一接口模块又包括:第一存储接口,用于与第一存储介质 连接,以将第一存储介质通过第二接口模块连接至第二数据存储装置的第二存 储处理模块;第一控制模块,用于控制第一存储介质接口或第一存储接口中的 一个与第一存储介质相连接,且在其中一个与第一存储介质相连接时,另一个 与第一存储介质不连接。利用上述方案,可方便地连接包含接口模块的两种存 储装置,并利用两种存储装置的功能。 【专利类型】发明申请 【申请人】联想(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100085北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119786.3 【申请日】2008-09-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673189A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673189B 【授权公告日】2011-09-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G06F3/06; H04L29/08 【发明人】安岩; 郑中华 【主权项内容】1.一种数据存储装置,其特征在于,包括: 第一电源供电模块,用于接入电源; 第一存储介质,用于存储数据; 第一处理器模块,包括: 第一存储介质接口,用于与所述第一存储介质相连接, 第一存储处理模块,用于在所述第一存储介质接口与所述第一存储介 质相连接时,控制所述第一存储介质的读写; 第一接口模块,用于与一第二数据存储装置的第二接口模块相连接,包括: 第一存储接口,用于与所述第一存储介质相连接,以将所述第一存储 介质通过所述第二接口模块连接至所述第二数据存储装置的第二存储处理模 块; 第一控制模块,用于控制所述第一存储介质接口或所述第一存储接口 中的一个与所述第一存储介质相连接,且在所述第一存储介质接口或所述第一 存储接口中的一个与所述第一存储介质相连接时,另一个与所述第一存储介质 不连接; 其中,当所述第一控制模块控制所述第一存储介质接口与所述第一存储介 质相连接时,由所述第一存储处理模块控制所述第一存储介质的读写;当所述 第一控制模块控制所述第一存储接口与所述第一存储介质相连接时,由所述第 二存储处理模块控制所述第一存储介质的读写。 【当前权利人】联想(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91110108700000458B 【家族引证次数】4.0

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  • 【摘要】本发明一种温压综合实验箱控温密封门,它是由箱体壁板、门、门框、门轴、门轴固定座、密封环、旋转接头组成;其中,门是由铣有观察窗固定座、若干并行凹槽通道的金属板与蒙皮拼焊而成,处于门壁夹层的并行凹槽通道通过液体输入、输出口,进入和流出液
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  • 【摘要】本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法,以一维半导体纳米材料作为导电通道,其两端分别是源、漏电极;用原子层沉积方式生长栅介质层,覆盖在源、漏电极之间,以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上;在栅介质层上再通过
  • 【摘要】本发明提供一种针对多相流动系统中CT射线硬化的校正方法,包括 如下步骤:1)利用流体力学软件生成多相流动系统的模拟流场;2)选取 模拟流场的一个二维截面,得出该二维截面的流场数据;3)选取不同滤片 的材料和厚度,模拟CT对所述二维截
  • 【摘要】一种基于氧化处理从基板表面分离碳纳米管阵列的方法,该方法采用如二氧化碳,水蒸汽等作为弱氧化剂,在碳纳米管阵列生长过程中或生长结束后对碳纳米管阵列进行氧化处理,进而通过气流吹扫或机械剥离的方法使碳纳米管阵列从基板表面分离。与常规化学气