【摘要】 本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法，以一维半导体纳米材料作为导电通道，其两端分别是源、漏电极；用原子层沉积方式生长栅介质层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；在栅介质层上再通过蒸发或溅射方法生长栅电极层，栅介质层和栅电极层的厚度之和小于源、漏电极的厚度，源漏电极之间导电通道上的栅电极通过栅介质侧墙与源、漏电极实现电学隔离。本发明的自对准结构制作工艺简单、稳定，自由度高，源漏之间的导电通道基本被栅电极覆盖，大大提高了栅对导电通道的控制能力，而且，对于栅介质层和栅电极层的材料无限制，从而可以自由调节器件的阈值电压，满足规模集成电路设计的需要。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810223905.X 【申请日】2008-10-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101388412B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101388412B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/41; H01L29/423; H01L21/336; H01L21/28 【发明人】彭练矛; 张志勇; 王胜; 梁学磊; 陈清 【主权项内容】一种自对准栅结构纳米场效应晶体管，其导电通道是一维半导体纳米材料；导电通道两端分别是源、漏电极；栅介质层为原子层沉积方式生长的氧化物层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；而栅电极层是在栅介质层上通过电子束蒸发或者热蒸发或者磁控溅射的方法生长的一层导电薄膜，栅介质层和栅电极层的厚度之和小于源、漏电极的厚度，位于源漏电极之间导电通道上的栅电极通过氧化物侧墙与源、漏电极实现电学隔离。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】48
