【摘要】 一种基于氧化处理从基板表面分离碳纳米管阵列的方法，该方法采用如二氧化碳，水蒸汽等作为弱氧化剂，在碳纳米管阵列生长过程中或生长结束后对碳纳米管阵列进行氧化处理，进而通过气流吹扫或机械剥离的方法使碳纳米管阵列从基板表面分离。与常规化学气相沉积制备方法相比，采用弱氧化气氛处理的碳纳米管阵列与基板结合作用变弱，化解了碳纳米管阵列与基板分离的难题，既可以保护阵列在分离时免受破坏，又可以通过弱氧化去除阵列中的无定型碳等杂质，提高了阵列质量。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119666.3 【申请日】2008-09-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101348248B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101348248B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B31/02 【发明人】魏飞; 张强; 黄佳琦; 朱万诚 【主权项内容】一种基于氧化处理从基板表面分离碳纳米管阵列的方法，其特征在于该方法包括下列步骤：1)采用化学气相沉积方法制备碳纳米管阵列，在碳纳米管阵列生长过程中或生长结束后向反应器内通入二氧化碳、水蒸气、氧气、空气或它们的混合物，作为弱氧化剂，用于削弱碳纳米管阵列与基板的结合；其中通入氧气或空气，或氧气与空气的混合气体时，反应区温度为400～800℃，氧气、空气或氧气与空气的混合气体的体积占通入反应器气体体积的0.001～0.5％；通入二氧化碳或水蒸气，或二氧化碳与水蒸气的混合物时，反应区温度为600～1000℃，二氧化碳、水蒸气或二氧化碳与水蒸气的混合气体的体积占通入反应器气体体积的0.030％；所述的通入反应器气体包括保护气体、还原气体和反应气体；2)通过物理方法使碳纳米管阵列从基板表面分离。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】9.0 【自引次数】8.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】18
