【摘要】 本发明一种减小温度梯的激光晶体，包括：一激光晶体；一薄膜层， 该薄膜层制作在激光晶体的一个或多个表面上。本发明所述的减小温度梯 的激光晶体，具有制作简单、方便且成本低廉，有利于产业化生产的优点。。微信 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222337.1 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677175A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01S3/16; H01S3/042; H01S3/04 【发明人】李晋闽; 林学春; 熊波; 侯玮; 郭林; 赵鹏飞; 韩泽华; 李瑞贤 【主权项内容】1、一种减小温度梯的激光晶体，包括： 一激光晶体； 一薄膜层，该薄膜层制作在激光晶体的一个或多个表面上。。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】2.0 【被引证次数】6 【他引次数】2.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】6
