【摘要】 本发明提供的常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法，属于氧化物半导体纳米材料领域，是将Sn粉和Fe粉均匀混合后放入刚玉舟中作为蒸发源，清洗后的空白硅片作为接收衬底放置在蒸发源的正上方；在水平管式炉中通入流量为70～90ml/min的氩气，然后将管式炉升温至880～910℃，到达设定温度后，将放有蒸发源和硅片的舟放入管式炉中，保温时间为20～30min，在炉子的温度降至室温后取出硅片，硅片上沉积一层白色SnO2纳米线薄膜，纳米线的直径约25～160nm，长度达10～30μm。该方法采用的设备简单，易于操作，成本低廉，易于工业化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224591.5 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101372358B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101372358B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01G19/02 【发明人】常永勤; 孔广志; 林杰; 龙毅 【主权项内容】一种常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法，将空白硅片分别用酒精和丙酮清洗后凉干，其特征在于，将混合均匀的Sn粉和Fe粉作为蒸发源放入刚玉舟中，清洗后的空白硅片作为接收衬底放置在刚玉舟上，位于蒸发源的正上方；在水平管式炉中通入流量为70～90ml/min的氩气，然后将管式炉升温至880～910℃，到达设定温度后，将放有蒸发源和硅片的刚玉舟放入管式炉中，保温时间为20～30min，炉子的温度降至室温后取出硅片，硅片上沉积一层白色SnO2纳米线薄膜。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6
