【摘要】 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。本发明还提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810101187.9 【申请日】2008-02-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311347B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311347B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/06; C30B29/60 【发明人】奚中和; 吴越; 张耿民; 崔宏宇; 郭等柱 【主权项内容】一种具有三维凹陷结构的硅，其特征在于，所述的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于B2，B1平行于C2，C1平行于A2；且A1＞0，B1＞0，C1＞0，A2≥0，B2≥0，C2≥0；A1，B1，C1所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形；所述A1，A2，B1，B2，C1，C2中不为零的底边边长在1微米至50微米之间；所述三维凹陷结构的高度在1微米至5微米之间。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1
