【摘要】 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部分制备绝缘钝化层，然后在整个LED外延层和基板上均匀涂上适量的、高导热率、膨胀系数和弹性模量匹配的导电银胶，高温键合后激光剥离蓝宝石衬底，清洁表面，在表面形成n电极，对电极以外的出光表面进行粗化处理，减薄基板至所需厚度并在其背部制备欧姆接触和共晶焊垫。最后进行激光划片，裂片，得到薄膜型LED芯片。本发明可减少激光剥离带来的芯片破裂，增加芯片侧面光的出射，同时增加粘接强度，提高芯片出光效率和可靠性。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810241116.9 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101452988B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101452988B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】陈志忠; 齐胜利; 孙永健; 田朋飞; 康香宁; 秦志新; 于彤军; 张国义 【主权项内容】一种薄膜型LED制备方法，包括下列步骤：a)在蓝宝石衬底(1)上生长GaN基LED外延层(2)；并在所述外延层(2)上进行激光划片，划片深度超过外延层(2)的厚度；b)在外延层(2)上通过反应离子刻蚀形成梯形台面(21)，并在其上形成p型欧姆接触(31)和反射电极(32)；在外延层(2)上除所述反射电极(32)以外的区域形成钝化保护层(4)；c)在硅基板(5)上形成第一欧姆接触(6)，并通过导电银胶(7)将所述外延层(2)和所述第一欧姆接触(6)粘合；d)激光剥离衬底(1)，去除镓滴，清洁表面，去除非掺GaN层，得到n接触层表面(22)；e)在所述n接触层表面(22)上形成和反射电极(32)对应的n电极(8)，并对所述n接触层表面(22)进行粗化，得到锥形结构(9)；f)对硅基板(5)进行磨片至所需的厚度，在其表面形成第二欧姆接触(101)和共晶焊垫(102)；g)在所述n接触层表面(22)进行激光划片，并作裂片处理，获得薄膜型LED。 【当前权利人】北京大学东莞光电研究院 【当前专利权人地址】广东省东莞市松山湖园区沁园路17号1栋2单元306号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】2.0 【自引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】24
