【摘要】 本发明公开了一种制作用于1.55微米通信波段的硅波导光电转换器的方法，包括：在SOI的顶层硅上刻蚀出直波导和环形波导，使二者相切或保持一定的耦合关系；在环形波导两侧分别注入或扩散V族和III族离子并退火，形成波导侧壁连续的n型和p型掺杂区，在环形波导表层构造横向p-i-n结构，并控制本征区i的宽度；向环形波导表面的本征区i内注入硅离子、银离子或氢离子，并退火，形成深能级缺陷；在n型和p型掺杂区表面、以及SOI材料背面分别蒸发金属电极，形成非带隙吸收、深能级电荷遂穿、波长可调的硅波导光电转换器。利用本发明，使硅波导p-i-n横向结构对1.55微米波段能够进行探测，并利用热效应来调节转换波长。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118966.X 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661137B 【公开公告日】2010-12-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661137B 【授权公告日】2010-12-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B6/42; G02B6/136 【发明人】韩培德 【主权项内容】一种制作用于1.55微米通信波段的硅波导光电转换器的方法，其特征在于，该方法包括：采用干法刻蚀或湿法腐蚀的方式在绝缘体上硅SOI的顶层硅(11)上刻蚀出直波导(13)和环形波导(1)，并使直波导(13)与环形波导(1)相切或保持一定的耦合关系；采用离子注入或扩散的方法，在环形波导(1)一侧注入或扩散V族离子并退火，形成波导侧壁连续的n型掺杂区；在环形波导(1)另一侧注入或扩散III族离子并退火，形成波导侧壁连续的p型掺杂区，从而在环形波导(1)表层上构造横向p‑i‑n结构，并控制本征区(i)的宽度；采用离子注入方式向环形波导(1)表面的本征区(i)内注入硅离子Si+、银离子Ag+或氢离子H+，并退火，制备深能级缺陷；在第二n型掺杂区(4)和第二p型掺杂区(5)表面、以及SOI材料(8)背面分别蒸发金属电极，形成非带隙吸收、深能级电荷遂穿、波长可调的硅波导光电转换器。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】10
