【摘要】 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222443.X 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101357825B 【公开公告日】2010-11-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101357825B 【授权公告日】2010-11-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C03C15/00 【发明人】罗葵; 张大成; 王兆江; 李婷; 田大宇; 王玮; 王颖; 李静 【主权项内容】一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，其特征在于，采用的工艺参数窗口为：离子源功率：1000-1400W；承片台功率：300-400W；反应室压力：2-4mT；C4F8流量：10-20sccm；H2流量：4-8sccm；He流量：150-200sccm；该工艺采用的刻蚀掩膜为SiC4，在所述刻蚀掩膜形成之前进行背面金属化。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【家族被引证次数】2
