【摘要】 本发明公开了属于微波介质材料制造技术领域，特别涉及以氧化物为基础的复相陶瓷化合物的一种低烧结温度的复合微波介质陶瓷及其制备方法。该低烧结温度的复合微波介质陶瓷由Ba、Nb、W的氧化物为基础复合而成，是具有较高品质因数、接近零温度系数的微波介质陶瓷，其化学表达式为：xBaO-yNb2O5-zWO3+mA；Ba、Nb、W的氧化物按xBaO-yNb2O5-zWO3中以重量份数比配料，然后加入助烧剂A，低烧成温度烧结成致密的微波介质陶瓷。本发明所提供的微波介质陶瓷属于低温烧结低介电常数的微波介质陶瓷材料，微波介质陶瓷应用于微波和毫米波器件的多层介质谐振器、滤波器、双工器和天线的制作有着很大的应用价值。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810104197.8 【申请日】2008-04-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101265097B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101265097B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B35/495; C04B35/622 【发明人】岳振星; 庄昊; 李龙土 【主权项内容】一种低烧结温度的复合微波介质陶瓷，其特征在于，所述低烧结温度的复合微波介质陶瓷由Ba、Nb、W的氧化物为基础复合而成，其化学表达式为：xBaO‑yNb2O5‑zWO3+mA；Ba、Nb、W的氧化物按xBaO‑yNb2O5‑zWO3中以重量份数比配料，然后加入助烧剂A为H3BO3、ZnO和V2O5中的至少一种，低烧成温度烧结成致密的微波介质陶瓷；其中x＝33‑40，y＝14‑18，z＝46‑49，m＝0.3‑1。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【家族被引证次数】4
