【摘要】 本发明涉及一种直接在SiO2衬底上制备二维纳米材料单层石墨烯片的方法，该方法包括(1)准备衬底并做净化处理；(2)处理块状高定向热解石墨或天然鳞片石墨；(3)机械加压法制备单层石墨烯片样品：调节压力在10kg-20kg大小，保持压力大小5-10分钟，之后释放压力，取下块状石墨，取出硅衬底得到单层石墨烯片样品。本发明的制备单层石墨烯片的方法所使用的设备少，成本低，易于执行，成功率高。原材料直接接触衬底，避免由于引入其他辅助介质污染样品。制得的石墨烯样品由于压力的效果，为完整片状，基本没有褶皱出现。 【专利类型】发明申请 【申请人】国家纳米科学中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村北一条11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810246618.0 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101768012A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C04B41/50; C04B41/52 【发明人】邱彩玉; 周海青; 孙连峰 【主权项内容】一种直接在镀有二氧化硅的硅片上制备单层石墨烯片的方法，包括以下步骤：1).衬底净化处理：选择表面平整的镀有二氧化硅的硅片做衬底，其中，所镀二氧化硅层的厚度为30nm-300nm；并进行超声波清洗和氧等离子体轰击清洗以净化衬底；2).处理石墨原料：选择块状高定向热解石墨或天然鳞片石墨为原料，将所述的石墨原料切出平整表面，再进一步解理使其出现干净新鲜解理面，之后将得到的带解理面石墨块放到一块清洁的平板上，摩擦震动该石墨块去掉碎屑残渣；3).机械加压制备样品：将步骤1)处理好的镀有二氧化硅的硅片，和经步骤2)处理得到的新鲜解理面的石墨原料，一起安置在一个夹具中，然后将夹具放入加压装置中，并对夹具施加压力，调节压力在10kg-20kg大小，保持施压5-10分钟，之后释放压力，取走块状石墨原料和取出硅衬底，在镀有二氧化硅的硅片衬底上形成单层石墨烯片；其中，所有的上述操作过程均在百级超净室中进行。。 （，） 【当前权利人】国家纳米科学中心 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一条11号 【统一社会信用代码】12100000717806298R 【被引证次数】17 【被自引次数】2.0 【被他引次数】15.0 【家族被引证次数】17
