【摘要】 本发明公开了属于微波介质材料制造技术领域，特别涉及以氧化物为基础的的一种低烧结温度低损耗微波介质陶瓷及其制备方法。该低烧结温度的微波介质陶瓷由Ba、V、W的氧化物为基础复合而成，是具有高品质因数、接近零温度系数的微波介质陶瓷，其化学表达式为：xBaO-yV2O5-zWO3；Ba、V、W的氧化物按xBaO-yV2O5-zWO3中以重量份数比配料，在低烧成温度下烧结成致密的微波介质陶瓷。本发明所提供的微波介质陶瓷属于低温烧结低介电常数的微波介质陶瓷材料，可应用于多层介质谐振器、滤波器和天线等微波器件的设计制造，在工业上有着很大的应用价值。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810114874.4 【申请日】2008-06-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101289312B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101289312B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B35/01; C04B35/622; H01B3/12 【发明人】岳振星; 庄昊; 孟思勤; 李龙土 【主权项内容】一种低烧结温度低损耗的微波介质陶瓷，其特征在于，所述烧结温度的微波介质陶瓷由Ba、V、W的氧化物为基础复合而成，其化学表达式为：xBaO-yV2O5-zWO3；Ba、V、W的氧化物按xBaO-yV2O5-zWO3中以重量份数比配料，在烧成温度下烧结成致密的微波介质陶瓷；其中x＝45-65，y＝5-23，z＝12-50；所述微波介质陶瓷的制备步骤如下：(1)以纯度99％的BaCO3、V2O5、WO3为起始原料，按化学表达式xBaO-yV2O5-zWO3的质量比准备原料，其中x＝45-65，y＝5-23，z＝12-50；(2)以乙醇为介质，将原料湿磨混合，烘干制成混合粉料；(3)将混合粉料在750-850℃煅烧，保温2-5小时；(4)以乙醇为介质，将上述粉料再经过湿磨、烘干；(5)加入浓度为5％的聚乙烯醇PVA水溶液，加入量占粉末总重量的5-15％，然后，于150-200MPa，压制成型；(6)将上述成型的坯料在高温炉中于900-1000℃保温2-4小时烧结，制成微波介质陶瓷。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【家族被引证次数】7
