【摘要】 本发明属于一维纳米结构的荧光化学逻辑开关领域，特别涉及基于硅纳 米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法。本发明的方法是将由气相沉积法制 备得到的硅纳米线进行表面处理，其表面处理是表面等离子体处理、激光照 射、离子表面轰击或用化学方法进行表面活化；然后在对表面处理过的干燥 的硅纳米线的表面进行修饰，在其表面共价修饰有逻辑开关功能的丹磺酰胺， 得到基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关。本发明的基于硅纳米线的荧光化学 逻辑开关可用于制备体积更小、集成化程度更高的光化学逻辑器件。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院理化技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村北一条2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810239879.X 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101671020A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101671020B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C01B33/00; B82B3/00; C09K9/00 【发明人】师文生; 穆丽璇 【主权项内容】1.一种基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关的制备方法，其特征是，该方法 包括以下步骤： 1)硅纳米线的表面处理： 将硅纳米线在温度为90-150℃的氧等离子体中处理1-3小时；或用波长 为325纳米的连续激光对硅纳米线照射0.5-2小时；或用钙离子源轰击硅纳 米线0.5-2小时；或用化学方法进行表面活化，将硅纳米线放入浓硫酸和双 氧水的混合液中，在温度为60-90℃下煮10-60分钟，冷至室温，用蒸馏水洗 至中性，然后放入H2O∶H2O2∶NH3.H2O的体积比为3-5∶0.2-1∶1的混合液中1-3 小时，取出，用蒸馏水洗至中性，真空干燥； 2)硅纳米线的表面修饰： 在连有分水器的容器中加入20mg步骤1)得到的表面处理过的硅纳米线 和40mL无水甲苯，惰性气体保护下，加热到140℃共沸蒸馏除去水分，蒸出 30mL甲苯后，降温至60-90℃并加入0.6mmol-1.8mmol的N-3-三乙氧基硅丙 基丹磺酰胺，在温度为60-90℃下搅拌12-48小时，降至室温，用过滤器过滤 得到表面修饰的硅纳米线粗产品；粗产品在有机溶剂中进行超声清洗，过滤， 除去未反应的N-3-三乙氧基硅丙基丹磺酰胺，真空干燥得到基于硅纳米线的 荧光化学逻辑开关。 【当前权利人】中国科学院理化技术研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一条2号 【统一社会信用代码】12100000717800662F 【被引证次数】10 【被自引次数】6.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】10
