【摘要】 本发明公开了一种全湿法去胶的装置及方法，其中，该方法为：包括放 置在晶圆托盘上的晶圆依次与硫酸和双氧水的混合物反应去除光刻胶、与氨 水和双氧水的混合物反应去除晶圆表面的微粒、与去离子水的混合物反应对 晶圆表面清洗，该方法还包括：在晶圆与硫酸和双氧水的混合物反应过程中， 所述放置晶圆的晶圆托盘以设定的限制速率旋转。本发明提供的装置及方法 可以在不损坏晶圆表面所刻蚀出的图案的基础上，去除光刻胶。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222113.0 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673062A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673062B 【授权公告日】2011-10-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G03F7/42 【发明人】何有丰; 刘佑铭; 朴松源 【主权项内容】1、一种全湿法去胶的装置，该装置包括放置晶圆(31)的晶圆托盘(30) 和回收槽(11、12、13)，晶圆托盘(30)在回收槽(11、12、13)的开口 (201、202、203)移动，其特征在于，该装置还包括： 所述晶圆托盘(30)移动到回收槽(11)的开口201时，以0～100转/ 秒的速度旋转。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】9 【被自引次数】1.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】9
